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    可控硅的選擇方法

    可控硅的選擇方法

    說到可控硅,小系列相信很多人會被可控硅和可控硅搞混,誰是誰。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內3C認證。 在這里,小化妝和你說,可控硅和可控硅是相同的產品,但兩者說是不一樣的。

    說到這,小編就給大家可以分享自己選擇研究方法在可控硅,您的問題。廢話不多說,請繼續進行閱讀。

    1 選擇可控硅的類型:

    有許多不同類型的SCR,應根據實際應用進行設計和選擇。 如用于實現交直流電壓質量控制,可控整流,交流調壓,逆變電源,開關設備電源可保護管理電路,可選用通用的SCR。 交流方式開關,交流調壓,交流過程,電動機線性調速,燈具線性調光,固態繼電器,固態接觸器等電路應采用雙向晶閘管。 如用于文化交流,可用于企業變頻調速,斬波器,逆變電源及各種電子智能開關檢測電路。 如用于鋸齒波發生器,長時間延時裝置,過電壓保護器和大功率晶體管觸發信號電路,可選用BT,SCR。如用于電磁灶,電子鎮流器,超聲波模塊電路,超導磁儲能技術系統和開關電源電路,可選用反向導通晶閘管。 如果用于研究光電耦合器,光電探測器,光報警,光計數器,光電開發邏輯分析電路和生產線自動運行環境監測的整個電路,可選用光控晶閘管。

    2 可控硅的主要參數:

    晶閘管的主要參數應根據應用的具體要求。 所選功率晶閘管在額定電壓和額定電流峰值(平均通態電流)時,應保持比最大工作電壓工作電流電路控制值高1.5至2倍的余量。 晶閘管的正向壓降,從而觸發的門極觸發電流和電壓施加電路參數應滿足(參見門極控制電路) ,每個要求的頂部不能高或低,否則會影響正常的可控硅運行。

    上述問題是通過選擇研究方法和可控硅SCR,我們愿意提供幫助。

    相關數據信息進行文章:可控硅技術參數

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