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    可控硅的強觸發方式及其主要優點

    可控硅的強觸發方式及其主要優點

    可控硅是一種工作電流進行控制的雙極型半導體技術裝置,它計算得到一個柵極驅動發展單元是類似的電流源,提供了一種具有特別陡峭尖峰電流通過脈沖晶閘管柵極,以確保沒有任何企業在任何時候都可靠地觸發晶閘管。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內3C認證。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容??煽毓栝T極觸發脈沖響應特性對可控硅參數的額定值和特性研究非常強的影響。使用該設備的一個國家強有力的觸發學生開口第一時間我們可以大大縮短,減小導通損耗,該裝置的能力能夠承受的di / dt增加。

      一.觸發進行控制系統脈沖幅值對可控硅可以通過開通的影響

    晶閘管門極觸發電流的幅值對器件的開通中國速度有明顯的影響,高門極觸發電流我們可以得到明顯有效減少器件的開通一個時間。

    雖然觸發脈沖幅度僅為IGT,可使裝置開啟,但裝置開啟時間延遲明顯,會高達高達幾十細微,不利于提高整機生產設備的可靠有效控制和安全管理運行。

    階躍觸發脈沖上升時間對晶閘管開斷的影響

    觸發脈沖上升開發時間(陡度)SCR速度的中國的開放也有顯著的影響,觸發脈沖上升,越來越多的時間,其效果等同于減少門極觸發電流。觸發脈沖更陡的,直到下一個時間越短,晶閘管開啟時間也更短。

    III??煽毓钖艠O信號觸發門觸發安全可靠源要求

      (1) 一般要求:

    觸發控制脈沖輸出電流幅度:IG = 10 IGT;

      脈沖持續上升發展時間:tr≤1μs;

    (2)高密度/低密度使用:

    當器件在高 di / dt 工況下使用時,特別是在晶閘管阻斷電壓很高的情況下,門極橫向電阻可能在開啟過程中產生超過門極電壓的電壓,嚴重時甚至可能使門極電流發生反向。 這種負柵極電流導致開路損耗的增加,這可能導致更高的 di / dt 損壞的器件。

    因此,我們要求保護使用高的di / dt,柵極觸發器的電源電壓VG不大于20V,或所述柵極線,串聯連接至回流柵極電流防止二極管更低。

      (3) 可控硅可以進行串并聯系統通過使用

    SCR系列:當應用管晶閘管串聯,這需要串聯連接的每個可控硅應該是相同的開口成為可能。 SCR在平行:一個陡峭的和強大的柵極觸發特性是不平衡的并聯晶閘管轉降低到很小,所以是較好的平衡效果。

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