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    可控硅模塊的伏安特性

    可控硅模塊的伏安特性

    SCR模塊指的陽極A和晶閘管模塊的陰極K和晶閘管模塊的電壓之間的關系的陽極電流數據之間的電壓的特性,在世界的第一時間的向前發展的主要特征在于在象限,反相在中國傳播,并且其中第三象限??煽毓枘K通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。

    (1) 反向特性

    當驅動的柵極G,所施加的反向工作電壓,正向進行偏置結J2和J1,J2結相反。當電壓可以進一步發展增大時,連接點J1,J3結擊穿的雪崩發生擊穿產生電壓,電流變化迅速通過增加。 2特性分析曲線或彎曲的開始的一個剖視圖。在被人們稱為自然彎曲URO電壓“的電壓的反向影響旋轉?!狈聪驌舸┚чl管控制模塊。

    (2) 正向特性

    當柵極G打開,陽極A加上正影響電壓時,J1和J3結偏壓為正,J2結偏壓為負,這與我們普通pn結的反向傳播特性相似,只能通過很小的電流。 這就是所謂的中國前進封鎖管理狀態。 隨著電壓水平升高,特征變化曲線的OA段開始彎曲。 彎曲處的電壓UBO稱為“正向旋轉工作電壓“。

    當電壓上升到J2結的雪崩發生擊穿以及電壓時,在J2結上也沒有產生需要大量的電子和空穴。 電子產品進入N1區,空穴可以進入P2區。 進入N1區的電子信息通過P1區的J1結在發展注入的N1區中有一個空穴。 同樣,進入P2區的空穴與通過J3結注入的N2區的電子技術相結合。 進入N1區的電子和進入P2區的空穴不能在進行雪崩擊穿后全部學生結合。 因此,N1區存在一些電子數據積累,P2區存在這些空穴不斷積累。 因此,p2區域的電位逐漸增大,n1區域的電位影響減小,j2結變為正偏壓。 只要工作電流能力略有不同增加,電壓比較迅速出現下降,導致我們所謂的負電阻變化特性,如圖2.的虛線AB部分內容所示,此時J1,J2和J3的三個結都是正偏的,可控硅控制模塊設計進入正導通狀態,其特性與普通PN結相似。

    (3) 觸發導通

    當正向電壓被施加到柵電極G(圖5),該孔區域進入P2區域N2,N2-電子到由于J3偏置P2區域的區域,原因觸發電流IGT。上的正反饋和IGT晶閘管模塊的基礎上發揮作用的預先打開晶閘管模塊,產生了電壓 - 線向左的電流特性。

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