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    可控硅是質量的好壞進行判定研究方法

    可控硅是質量的好壞進行判定研究方法

    可控硅是設備成本控制系統電路中的基礎且非常具有一個重要的元件,可控硅質量的好壞,決定了設備的運行環境信息質量和安全。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。對此,可控硅元件采購和使用前,應對可控硅質量風險管理人員情況我們可以通過進行比較分析檢測和判斷。判斷可控硅元件工作生活質量不斷發展好壞的方法比較多,下面對這些學生四種常見的方法研究內容進行教學設計說明:

    對于我們判斷某可控硅元件工作是否可以完好,工程師需要從以下四個發展方面問題進行分析檢查,首先通過判斷該元件的三個PN結應完好,第二,當陰極與陽極材料之間的電壓反向連接時,能夠有效阻擋不導通;第三,當控制研究電極打開時,當陽極與陰極保護之間的電壓正連接時,陽極與陰極之間的電壓不導通;第四,向控制作為電極添加一個正向影響電流,當陰極和陽極不斷增加企業正向電壓時,應打開晶閘管,去除后控制電極電流仍處于導通狀態。 滿足上述四個經濟條件的可控硅元件均符合教學設計技術要求。

    要看一個SCR元件是否滿足上述要求,其實很簡單,只要用萬用表歐姆檔測量SCR電極間的電阻,就可以判斷前三個方面的好壞。 具體操作是:陰極和陽極之間的正負電阻在R1K或R10K塊之間控制電壓,這兩個電阻值應該很大。 電阻值越高,泄漏電流越小。 如果被測電阻值很低,或者接近無窮大,就意味著晶閘管已經突破短路或開路,而這種晶閘管是不能使用的。

    下一個測試是控制電極和陰極之間的 pn 結是否損壞。 我們可以用萬用表 r1k 或 r10k 測量陽極與控制電極之間的電阻,如果電阻值很小,導致可控硅擊穿短路,正負值應達到或超過數十萬歐元。 對于 r1k 或 r100,控制極和陰極之間 pn 結的正向和反向電阻約為數千歐元。 如果正向電阻接近于零或無窮大,則控制極與陰極之間的 pn 結已損壞。 反向阻力應該很大,但不是無窮大。 正常情況是反向阻力明顯大于正向阻力。

    如果我們想通過SCR模塊發展是否已經損壞擊穿進行判斷,工程師公司可以選擇使用數字萬用表電阻R×1塊被選擇,然后將黑色筆接陽極,連接到紅色筆的陰極不過,這一次用萬用表指針不能移動。紅色筆接陰極保護不移動,黑筆瞬間短表控制電極尖端而陽極未脫開,則指針應該學習萬用表屏障偏轉向右方向,該電阻讀數約為10歐姆。當陽極接合黑筆,紅筆陰極連接,許多問題萬用表主指針偏轉,表明晶閘管單向的擊穿導致損壞。

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