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    可控硅控制特性會導致通過可控硅誤放電

    可控硅控制特性會導致通過可控硅誤放電

    可控硅正常導通是柵極信號可以觸發。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內3C認證。 閘門觸發控制信號工作強度達不到SCR國家標準時,SCR正導通。 此時,正向沖擊電流必須超過國家標準管理規定才能保持電流,否則,不能接通。

    有兩種不同的情況會使晶閘管產生誤導: 1、所選晶閘管“關態非重復峰值電壓”通常稱為正向沖擊峰值耐受電壓或正向轉向電壓偏低。 當增加的正向電壓達到峰值時,晶閘管立即打開。 因此,前向雪崩電流的大幅度增加增加了前向漏電流,輸入載流子滿足導通條件。 采用過電壓保護管理措施可以避免誤導信息。 2、正向電壓的增長率超過了國家標準值。 當晶閘管阻斷時,陰、陽極材料之間不存在結電容。 當陽極電壓突然加大時,容易產生自身的充電電容電流。 因此,必須研究管子的最大正向電壓電平上升速率以限制其上升速率,通常采用在晶閘管兩端并聯阻容吸收元件的方法。

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