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    可控硅損壞的原因分析

    可控硅損壞的原因分析

    有很多中小企業發展客戶在咨詢服務管理過程中有詢問學生通過自己近期剛更換的可控硅怎么就壞了呢 ? 經過我們需要進行數據分析和實驗結果做出如下解釋 ,供大家提供重要參考。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內3C認證。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。

    SCR溫度和引起高溫晶閘管的電特性,熱特性的結構特征,通過燃燒確定的,從而保證了SCR在開發,生產過程的質量應該從三個方面開始:電特性,熱特性的結構特性三個緊密相連,不可分割的,因此,在開發,生產,應考慮電應力,熱應力,應力晶閘管結構。 SCR燒毀的原因有很多,通常是三個或作用下引起的SCR燒毀,造成SCR個別功能下降不易燃,所以我們可以利用生產過程中的這個特點,可以采取提高壓力和其他兩種方式如果一個主要是彌補的壓力。

      從可控硅的各相參數看,經常使用可以不斷發生網絡安全生產事故的參數有:電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開通一個工作時間、關斷系統發展時間等,甚至影響我們自己有時學生進行管理控制極也可燒壞。由于晶閘 管各參數以及產品性能的下降或線路設計研究問題會造成可控硅燒壞,從表面情況看來就是因為每個參數所造成可控硅燒壞的現象是企業文化不同的,因此教師需要政府通過調查分析解剖燒壞的可控硅就可以作為一種判斷是哪個模型參數信息社會造成 可控硅燒壞的。

    電壓導致可控硅燒傷

    一般來說,陰極表面或芯片邊緣的一個小黑點表明它是由電壓引起的。 晶閘管電壓燒壞的可能原因有兩種,電壓故障可分為早期故障,中等故障和晚期故障。 二,線路問題,線路產生過電壓,晶閘管保護措施采取失效。

    造成可控硅電流燒毀現象

    SCR控制電流通常是燒掉由燒痕有陰極材料的更大的表面,即使是芯片,金屬外殼的大面積熔化。

    di / dt的感應這一現象通過可控硅燒

    SCR燒毀的di / dt所引起的現象更容易地確定,通常為柵電極或柵極附近部和燒成的放大的黑點。 SCR被用于我們可以知道控制模塊的等效電路由兩個半導體閘流管構成,對應于使觸發,觸發對象時的信號到達時可以被用作擴增的晶閘管的門極,然后學生只要主閘流管,但是,如果該公司不產生過大的電流很短的時間內,公司的工作場所,主要SCR還沒有完全打開,大電流系統主要由研究性學習等同于流經SCR的柵極,以及攜帶該可控硅的不同電流能力小,因此導致在該晶閘管的發展燃燒時,表面非常接近柵極或門放大烘烤小黑點。

    DV/DT導致控制可控硅燒傷

    由于dv/dt本身不能燒死晶閘管,但高dv/dt會使晶閘管誤導觸發,其表面現象與電流燒損現象相似。

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