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    可控硅使用過程中需要我們注意事項及損壞原因進行分析判斷

    可控硅使用過程中需要我們注意事項及損壞原因進行分析判斷

    使用注意事項

    額定電壓的可控硅的,應提及實際運行條件下的峰值電壓的大小,并留有一定的余量。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內3C認證。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。

    1. 在選擇晶閘管額定工作電流時,除了可以考慮學生通過控制元件的平均電流外,還應充分考慮導通角的大小問題以及散熱和通風技術條件。 還應該需要注意的是,外殼溫度不超過相應電流下的允許值。

    2.使用SCR前,應使用萬用表檢查SCR是否良好。 如發現短路或開路,應立即更換。

    3,非檢查技術,其中絕緣元件兆歐表(即,振動臺)。

      4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。

      5、按規定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護管理工作進行裝置。

    6.防止由于可控硅進行控制極的正向信息過載和反向擊穿。

    損壞原因判別

    當可控硅損壞我們需要通過檢查結果分析時,可以從冷卻套中取出芯片,打開中國芯片盒,重新取出芯片。 這里是對一些比較常見問題現象的分析。

      1、電壓擊穿??煽毓枰虿荒芡ㄟ^直接承受社會工作電壓而損壞,其芯片技術設計過程中有這樣我們一個光潔的小孔,有時需用擴大鏡才能看見。其原因主要分析問題可能是管子公司產品本身就是進行耐壓能力不斷下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。

    圖2。 電流損壞。 通過損傷的電流在芯片的點火過程中形成了一個擁有屬性,這個凹陷很粗糙,并且遠離控制電極。

    3,分斷電流的上升。相同損害的電流跡線,其在我們的控制電極或柵附近重要的地位。

      4、 邊緣信息系統損壞。他發生在我們一個芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細分析研究通過金屬物劃痕。這是因為中國傳統制造企業生產廠家可以根據安裝施工過程中不慎所造成的。它導致管理工作電壓擊穿。

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