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    雙向可控硅的主要技術參數介紹

    雙向可控硅的主要技術參數介紹

      

    (1)額定正向影響平均通過電流

    定義:在規定的環境溫度和散熱條件下,允許學生學習陽極和陰極保護之間的平均電流。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內3C認證。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。

     ?。?)維持電流

    定義: 確保晶閘管在指定環境溫度下處于通電狀態所需的最小正向電流。 控制桿斷開了,通常是幾十毫安。

    (3)柵極觸發電壓和電流

    定義: 在環境進行溫度和一定的正向電壓下,將晶閘管從關斷變為開斷并控制工作電極系統所需的最小顯著正向影響電壓和電流。

    通常這種情況下,大約為約1伏的低功率可控硅觸發電壓范圍,觸發電流為零幾毫安到幾毫安,由上述SCR觸發大約幾伏到質量幾十伏,的電流的電壓的電力信號幾毫安到幾百毫安。

    (4)正向轉折電壓

      控制極關斷,使可控硅模塊可以進行擊穿的陽極和陰極材料以及自己所加的電壓。

    (5)反向電阻峰值電壓

    這是一個安全運行的最大電壓,一般可控硅額定電壓是指峰值電壓。

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